英嘉通提供国内领先的碳化硅 (SiC) 解决方案。我们的SiC MOSFET可实现更低的损耗和更高的开关频率,从而减小系统被动元器件的尺寸。同时,通过全国产的产业链以及自主可控的器件、工艺技术,大幅降低器件成本,市场竞争优势突出。器件可以兼容并取代硅器件,以更高的阻断电压和雪崩能力实现更低的开关和传导损耗,适用于光伏逆变、储能、电动汽车、充电桩等多种高压高功率应用场景。
英嘉通拥有国内首屈一指的、成熟的碳化硅 (SiC) 肖特基二极管系列产品,已在包括矿机电源,储能,大功率PFC等不同功率等级的应用中批量使用。我们的肖特基二极管产品可靠耐用,规格齐全并且交付周期短,与英嘉通碳化硅 MOSFET 配合使用,可实现更高的效率和更低的组合价格,是追求性价比的最佳选择。
VDS max
(V)
Ron_typ
(mΩ)
ID max
(A)
QG
(nC)
Package
Datasheet
VF
IF
QC
PTOT
(W)
650V
1.5
4.8
9.5
76.5
TO/DFN
1.4
6
17
111
8
22
117
TO
10
28
138
16
44
167
20
65
300
30
41
318
1200V
50
205
306
40
95
566
1700V
13.5
122
192
20.3
263
SIC MOSFETS
SIC SCHOTTKY DIODES