SiC二极管产品系列已在包括矿机电源,储能,大功率PFC等不同功率等级的应用中批量使用。
SiC MOSFET产品系列可实现更低的损耗和更高的开关频率,从而减小系统被动元器件的尺寸。同时,通过全国产的产业链以及自主可控的器件、工艺技术,大幅降低器件成本,市场竞争优势突出。器件可以兼容并取代硅器件,以更高的阻断电压和雪崩能力实现更低的开关和传导损耗,适用于光伏逆变、储能、电动汽车、充电桩等多种高压高功率应用场景。
英嘉通能够提供国内最完整的SiC MOSFET以及肖特基二极管产品,并且产品性能、一致性和可靠性保持业内领先。在此基础上,结合国内最先进的模块封装技术,我们的SiC模块产品能够以多种行业标准封装形式满足客户的定制化需求。产品凭借优异的性能和高可靠性,已在光伏逆变、电动汽车等领域通过客户认证。
VDS max
(V)
Ron_typ
(mΩ)
ID max
(A)
QG
(nC)
Package
Datasheet
VF
IF
QC
PTOT
(W)
650V
1.5
4.8
9.5
76.5
TO/DFN
1.4
6
17
111
8
22
117
TO
10
28
138
16
44
167
20
65
300
30
41
318
1200V
50
205
306
40
95
566
1700V
13.5
122
192
20.3
263
SIC MOSFETS
SIC SCHOTTKY DIODES