英嘉通GaN具有以下优点：
· 氮化镓器件品质因数（RON*QG）好，性能出色；
· CASCODE以硅器件为栅极，阈值电压高（1.7V以上），可调范围大，应用安全，不易受干扰；
· CASCODE栅极耐压范围大(±20V)，栅极驱动余量大，可靠性好，无需栅极钳位电路，且不需要负压关断；
· 兼容传统的功率 Si MOSFET 栅极驱动器，（12V/5V均可，直接用原有驱动元件）研发投入成本低，周期短，见效快。