英嘉通TO脚位封装系列氮化镓功率器件,可提供能够pin-to-pin完全兼容传统Si MOS以及市面主流氮化镓器件两种脚位封装类型产品。器件采用级联结构,依靠高栅极可靠性、低导通电阻、高开关速度、高性价比,为客户提供良好的应用体验;整机效率更高,性能更好,已在PD快充、适配器等多个领域批量出货,受到客户青睐。
英嘉通DFN系列氮化镓功率器件,集合了氮化镓宽禁带,高击穿场强,高电子迁移率等材料特点,以及级联结构自身的高阈值电压,高可靠性和低米勒电容等结构特点,通过DFN5X6, DFN8X8等多种低寄生,小体积的封装形势,以高可靠性,简单的外围设计为客户呈现氮化镓功率器件高开关频率,低损耗等优势;整机尺寸、效率、成本等综合表现获得市场认可。
VDS_MAX
(V)
RON_TYP
(mΩ)
ID,PULSE
(A)
VTH_TYP
VGS_MAX
QG
(nC)
Package
pin
Datasheet
650
100
49
4
±20
16
TO220
G,S,D
TO220F
TO252
G,D,S
175
57
20
37
6.9
225
21
6.1
310
25
1.8
5.5
480
12.3
6.5
675
8
6.2
1000
5.4
3.5
7.8
(mΩ)
QOSS
45
DFN8×8
135
41
15
34.5
DFN8X8
24
30
18.1
6
27
19
5.6
DFN5X6
475
20.5
GaN TO SERIES
GaN DFN SERIES