GaN TO系列
GaN TO系列

英嘉通TO脚位封装系列氮化镓功率器件,可提供能够pin-to-pin完全兼容传统Si MOS以及市面主流氮化镓器件两种脚位封装类型产品。器件采用级联结构,依靠高栅极可靠性、低导通电阻、高开关速度、高性价比,为客户提供良好的应用体验;整机效率更高,性能更好,已在PD快充、适配器等多个领域批量出货,受到客户青睐。

GaN DFN系列
GaN DFN系列

英嘉通DFN系列氮化镓功率器件,集合了氮化镓宽禁带,高击穿场强,高电子迁移率等材料特点,以及级联结构自身的高阈值电压,高可靠性和低米勒电容等结构特点,通过DFN5X6, DFN8X8等多种低寄生,小体积的封装形势,以高可靠性,简单的外围设计为客户呈现氮化镓功率器件高开关频率,低损耗等优势;整机尺寸、效率、成本等综合表现获得市场认可。

GaN TO 系列
Part number

VDS_MAX

(V)

RON_TYP

(mΩ)

(V)

ID,PULSE

(A)

VTH_TYP

(V)

VGS_MAX

(V)

QG

(nC)

Package

pin

Datasheet

IGC6C100DAD

650

100

49

4

±20

16

TO220

G,S,D

IGC6C100DFD

650

100

49

4

±20

16

TO220F

G,S,D

IGC6C100STD

650

100

49

4

±20

16

TO252

G,S,D

IGC6C100DA

650

100

49

4

±20

16

TO220

G,D,S

IGC6C100DF

650

100

49

4

±20

16

TO220F

G,D,S

IGC6C175DAD

650

175

57

4

±20

20

TO220

G,S,D

IGC6C175STD

650

175

37

4

±20

6.9

TO252

G,S,D

IGC6C225STD

650

225

21

4

±20

6.1

TO252

G,S,D

IGC6C225ST

650

225

21

4

±20

6.1

TO252

G,D,S

IGC6C310STD

650

310

25

1.8

±20

5.5

TO252

G,S,D

IGC6C310ST

650

310

20

4

±20

5.5

TO252

G,D,S

IGC6C480STD

650

480

12.3

4

±20

6.5

TO252

G,S,D

IGC6C480ST

650

480

12.3

4

±20

6.5

TO252

G,D,S

IGC6C675STD

650

675

8

4

±20

6.2

TO252

G,S,D

IGC6C675ST

650

675

8

4

±20

6.2

TO252

G,D,S

IGC6C1K0STD

650

1000

5.4

3.5

±20

7.8

TO252

G,S,D

IGC6C1K0ST

650

1000

5.4

3.5

±20

7.8

TO252

G,D,S

GaN DFN 系列
Part number

VDS_MAX

(V)

RON_TYP

(mΩ)

ID,PULSE

(A)

VTH_TYP

(V)

VGS_MAX

(V)

QG

(nC)

QOSS

Package

Datasheet

IGC6012E

650

100

49

4

±20

16

45

DFN8×8

IGC6011E

650

135

41

4

±20

15

34.5

DFN8X8

IGC6022E

650

225

24

4

±20

6.1

30

DFN8X8

IGC6021E

650

225

18.1

1.8

±20

6

27

DFN8X8

IGC6021S

650

225

19

1.8

±20

5.6

27

DFN5X6

IGC6041

650

475

19

1.8

±20

15

20.5

DFN5X6