随着5G NR通讯进入深度覆盖期，5G微站崛起正当时。5G相对于4G在频率和带宽上都有较大的提高，在给客户带来更高速、更流畅的服务同时也面临着更大的传输损耗和更差的穿透。运营商会根据用户覆盖和网络优化的需求，采用宏基站+微基站的方式实现更低成本和更好体验的5G网络架构。在5G时代，宏基站与微基站的建设都非常重要。据相关的资料显示，国内5G建设期间至少需求1000万个5G微站。

英嘉通半导体响应国家5G新基建的号召，为5G新动能赋能。刚刚完成了首款应用于5G微站射频PA芯片。产品采用了Doherty结构，兼顾高效率和高线性度，并有较强的系统稳定性和抗干扰能力。产品可适用于使用DPD(数字预失真)的微基站系统。采用了优化的LGA5*5mm封装结构。

该产品覆盖3.3-3.6Ghz，采用成熟的GaAs HBT工艺，通过LGA封装，已经实现了50欧姆的输入和输出匹配，支持5G Bands 22, 42, n77, and n78，支持100MHz高带宽。主要的指标如下：

该产品已经完全达到了国外竞品的水平。英嘉通充分利用国产化的产业链资源，将继续打造具有完全自主知识产权的射频PA芯片，后续英嘉通还会陆续推出其他频段的产品，形成系列化的国产替代。