氮化镓功率器件市场热度持续升温，客户接受度也越来越高。目前650V氮化镓产品在PD快充领域，占据绝对的市场优势。同时，更多的消费类、工业级应用场景也逐渐培育成熟，蓄势待发。相比传统硅器件，其开关效率更高，方案整体可实现降体积、降成本，而器件成本也逼近硅器件，倍受客户青睐。

01 IGC6C060SR

英嘉通推出新一代60mΩ氮化镓功率器件IGC6C060SR，采用全新TOLT封装，为英嘉通TO系列大功率产品中的首款TOLx封装器件，也是国内领先的大功率低阻值氮化镓产品。TOLT封装的使用降低了产品的封装寄生，能够更好的应对高速变换的大电流应用场景。同时，通过顶部散热，改善应用环境中的散热效果，也降低了生产、装配中散热处理的难度。与传统的PD应用相比，大功率应用更能体现氮化镓的优势。产品旨在突破并引领氮化镓在充电桩、便携式储能、大功率ATX电源等新领域中广泛应用。

02 英嘉通TO系列

英嘉通TO系列全系列氮化镓产品，采用传统TO封装形式，进一步帮助行业拓展氮化镓在消费类电子及工业级的应用领域。通过与传统竞品pin-to-pin完全兼容的设计，帮助客户实现最低的导入风险，能够在原有方案的设计基础上完成性能的提升。全系列产品采用氮化镓耗尽型技术，结合级联结构自身的高阈值电压，高可靠性和低米勒电容等结构特点，以更出色的性能实现设计、可靠性、成本三个维度的原位替代，让高效变得简单。

TO系列产品9款主推规格（表1）已实现量产。系列产品阻值跨度从60mΩ至1.2Ω，从12W传统电源应用至最高2kW大功率电源都能找到合适的规格。全系列产品实现硬击穿超过1000V，很好的克服了氮化镓器件缺乏雪崩能力的问题，应用上可以更安全的应对漏极尖峰。通过外延、工艺、封装结构的优化设计，全系列产品650V工作下实现动态电阻小于10%，指标行业领先。特别针对传统TO封装相对更大的寄生电感，更高的应用干扰的情况，全系列产品采用高阈值电压设计，有效解决大功率高干扰环境中因di/dt造成的失效，避免了负压驱动等特殊电路设计的需要。

表1 英嘉通氮化镓功率器件TO封装全系列产品

IGC6C300STD采用TO252封装，GSD脚位，实现对E-mode竞品的原位替代。值得注意的是，TO252作为传统TO封装，相比DFN贴片类型封装，有更高的寄生电感。针对这一问题，英嘉通产品在原位兼容E-mode产品的同时，采用更高的阈值电压（+4V），有效的解决了高寄生封装带来的问题，同时也可以简化驱动电路的设计，避免负压驱动。产品最大导通电阻300mΩ，特别适用于65W左右功率等级的氮化镓手机充电器、适配器及PD快充应用。

图2 英嘉通IGC6C300STD 产品原位替换传统E-mode竞品，VTH更高

以IGC6C300ST为代表的其他TO系列产品，采用GDS脚位，在12W至kW级的功率范围实现对传统Si MOS的pin-to-pin原位替代。产品完全兼容传统硅器件驱动设计，凭借氮化镓器件优势，能够实现在原有设计的基础上提升性能，同时降低导入风险。IGC6C300ST最大导通电阻300mΩ，特别针对45W-65W功率范围的传统手机充电器、适配器及PD快充应用设计，成本、可靠性比肩同规格硅MOS，性能更优。

图3 英嘉通IGC6C300ST 产品原位替换传统Si MOS