氮化镓功率器件

GaN TO系列

英嘉通TO脚位封装系列氮化镓功率器件,可提供能够pin-to-pin完全兼容传统Si MOS以及市面主流氮化镓器件两种脚位封装类型产品。器件采用级联结构,依靠高栅极可靠性、低导通电阻、高开关速度、高性价比,为客户提供良好的应用体验;整机效率更高,性能更好,已在PD快充、适配器等多个领域批量出货,受到客户青睐。

GaN DFN系列

英嘉通DFN系列氮化镓功率器件,集合了氮化镓宽禁带,高击穿场强,高电子迁移率等材料特点,以及级联结构自身的高阈值电压,高可靠性和低米勒电容等结构特点,通过DFN5X6, DFN8X8等多种低寄生,小体积的封装形势,以高可靠性,简单的外围设计为客户呈现氮化镓功率器件高开关频率,低损耗等优势;整机尺寸、效率、成本等综合表现获得市场认可。

GaN TO系列
Part NumberVDS_maxRoN_typID、pulseVтH_typVGs _maxQgQossPackagepinDatasheet
(V)(mΩ)(A)(V)(V)(nC)(nC)
IGC6C100DAD650100494
±2016
45TO220G,S,D

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IGC6C100DFD650100494±201646TO220FG,S,D

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IGC6C100STD650100494±201645TO252G,S,D

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IGC6C100DA650100494±201645TO220G,D,S

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IGC6C100DF650100494±201646TO220FG,D,S

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IGC6C175DAD650175314±201535TO220G,S,D

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IGC6C175STD650175314±201535TO252G,S,D

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IGC7E180DT700180181.672.517TO252G,S,D

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IGC6C225STD650225214±206.129TO252G,S,D

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IGC6C225ST650225214±206.129TO252G,D,S

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IGC6C310STD650310
251.8±205.522.1TO252G,S,D

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IGC6C310ST650310204
±205.522.1TO252G,D,S

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IGC6C480STD650480
12.34±206.521TO252G,S,D

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IGC6C480ST65048012.34±206.521TO252G,D,S

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IGC6C675STD65067584±206.218TO252G,S,D

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IGC6C675ST65067584±206.218TO252G,D,S

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IGC6C1K0STD650100041.8±205.515TO252G,S,D

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IGC6C1K0ST650100041.8±205.515TO252G,D,S

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GaN DFN系列
Part NumberVDS_maxRoN_typID、pulseVтH_typVGS_maxQGQossPackageDatasheet
(V)(mΩ)(A)(V)(V)(nC)(nC)
IGC6012E650V100
49
4
±2016
45
DFN8X8

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IGC6011E650V135414±201534.5DFN8X8

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IGC6022E650V225244±206.130DFN8X8

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IGC6021E650V225191.8±20627DFN8X8

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IGC6021S650V225
191.8±205.627DFN5X6

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IGC6041650V475
191.8±201520.5DFN5X6

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IGC7E120SE700V100341.673.532DFN8X8

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IGC7E180SE700V180181.672.517DFN8X8

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IGC7E180SS700V180181.672.517DFN5X6

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