诸如PD快充等AC/DC电源应用市场近年来正在发生改变，氮化镓已开始成为用户追求高效率，小体积的第一选择。相比传统硅，氮化镓凭借其优异的材料特性，开关速度提升超过20倍，系统性能得到提升。

英嘉通现推出的DFN系列氮化镓功率器件，采用氮化镓耗尽型技术，结合级联结构自身的高阈值电压，高可靠性和低米勒电容等结构特点，通过DFN5X6和DFN8X8两种低寄生封装形势，以最高的可靠性和最简单的外围设计满足客户高开关频率、低损耗和小体积的需求。

表一 英嘉通7款氮化镓功率器件DFN系列主推产品

DFN系列产品7款主推规格如表一。阻值跨度从100mohm至600mohm，在30W至240W的PD快充中批量应用。全系列产品实现硬击穿超过1000V，很好的克服了氮化镓器件缺乏雪崩能力的问题，应用上更安全的应对漏极尖峰。通过外延、工艺、封装结构的优化设计，全系列产品650V工作下实现动态电阻小于10%，指标行业领先，以更小的芯片面积提供更高的性价比。特别针对100W以上大功率PD应用，6012E、6011E和6022E三款更小阻值的器件，高VTH开启电压4V，有效解决大功率环境中因di/dt造成的失效，使应用更安全稳定。

在如今主流的240W大功率适配器及PD快充PFC+LLC拓扑应用中英嘉通耗尽型氮化镓的优势得以更好的体现。

图一 采用英嘉通GaN+SiC 量产的240W项目

主流的控制器驱动电压均为12V，可直接驱动英嘉通DFN系列功率器件（如下图二所示）

图二 驱动示例

PFC硬开关架构中由两颗IGC6012E并联，搭配一颗英嘉通最新一代650V 10A PDFN5*6 小尺寸封装氮化硅二极管IGC10065D，实现较低的Coss降低结电容充放电损耗，同时，较低的Qg(主要是米勒电容）降低开关交越损耗。

图三 IGC6012E主要参数

图四 英嘉通最新一代工艺650V 10A PDFN5*6 SiC SBD主要参数

LLC软开关架构中由两颗IGC6011E组成半桥，较低的Coss可以减小死区时间，提高效率，较低的Qrr降低反向恢复损耗，较高的VTH可以大大降低下管误开启机率。

图五 IGC6011E主要参数

苏州英嘉通半导体是聚焦在第三代半导体的高新技术企业，自主开发的氮化镓功率器件和碳化硅功率器件在消费电子、新能源和汽车电子等应用领域广泛应用，GaN To Go，让高效变得简单易用，坚信上下游合伙伙伴通力合作，一起打造出更多的绿色能源新产品。