英嘉通半导体发布多款大功率氮化镓功率器件，针对充电桩、储能、大功率电源等应用，引领行业，将氮化镓落地工业级、车规级领域。

四款主推规格具备650V耐压，阻值分布别为30mΩ，40mΩ，75mΩ和120mΩ，根据功率等级的不同，封装形式目前有TO247和TO220F可选。以30mΩ产品为例，单颗最高功率超过2000W。产品均延续CASCODE级联结构，具备高栅极可靠性、高阈值电压、高抗扰动能力等特点，该设计为GaN在传统大功率应用中的稳定工作提供坚实保障。产品对标传统650V COOLMOS竞品，同时兼容SiC竞品，原位替代，性能更优。

此次大功率产品采用INGACOM GaN To GoTM 第二代技术，相比第一代芯片面积大幅降低。与行业最新GaN竞品对比，INGACOM第二代产品在成本竞争力上占据优势，更远胜于传统COOLMOS。