氮化镓功率器件
碳化硅功率器件
氮化镓射频器件SiC二极管系列&SiC MOS系列
SiC二极管产品系列已在包括矿机电源，储能，大功率PFC等不同功率等级的应用中批量使用。
SiC MOSFET产品系列可实现更低的损耗和更高的开关频率，从而减小系统被动元器件的尺寸。同时，通过全国产的产业链以及自主可控的器件、工艺技术，大幅降低器件成本，市场竞争优势突出。器件可以兼容并取代硅器件，以更高的阻断电压和雪崩能力实现更低的开关和传导损耗，适用于光伏逆变、储能、电动汽车、充电桩等多种高压高功率应用场景。
碳化硅功率器件
SiC模块系列
英嘉通能够提供国内最完整的SiC MOSFET以及肖特基二极管产品，并且产品性能、一致性和可靠性保持业内领先。在此基础上，结合国内最先进的模块封装技术，我们的SiC模块产品能够以多种行业标准封装形式满足客户的定制化需求。产品凭借优异的性能和高可靠性，已在光伏逆变、电动汽车等领域通过客户认证。
SiC MOS系列
| Part Number | VDSmax | Ron_typ | IDmax | QG | Package | Datasheet |
| (V) | (mΩ) | (A) | (nC) | |||
| IGC060R075C3T | 750 | 60 | 33 | 75 | TO252 |
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| IGC060R075C3A | 750 | 60 | 33 | 75 | TO220 |
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| IGC060R075C3D | 750 | 60 | 33 | 75 | TO247-3L |
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| IGC060R075C3K | 750 | 60 | 33 | 75 | TO247-4L |
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| IGC190R075C3P | 750 | 190 | 14 | 16.5 | PDFN5*6 |
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| IGC190R075C3T | 750 | 190 | 14 | 16.5 | TO252 |
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| IGC190R075C3A | 750 | 190 | 14 | 16.5 | TO220 |
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| IGC190R075C3F | 750 | 190 | 14 | 16.5 | TO220F |
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| IGC360R075X1P | 750 | 300 | 10 | 16 | PDFN5*6 |
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| IGC360R075X1T | 750 | 300 | 10 | 16 | TO252 |
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| IGC360R075X1A | 750 | 300 | 10 | 16 | TO220 |
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| IGC360R075X1F | 750 | 300 | 10 | 16 | TO220F |
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| IGC380R075C3P | 750 | 390 | 9 | 10.6 | PDFN5*6 |
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| IGC380R075C3T | 750 | 390 | 9 | 10.6 | TO252 |
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| IGC380R075C3A | 750 | 390 | 9 | 10.6 | TO220 |
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| IGC380R075C3F | 750 | 390 | 9 | 10.6 | TO220F |
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| IGC600R075X1T | 750 | 600 | 6 | 7.5 | TO252 |
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| IGC600R075X1A | 750 | 600 | 6 | 7.5 | TO220 |
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| IGC600R075X1F | 750 | 600 | 6 | 7.5 | TO220F |
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| IGC016R120C3K | 1200 | 16 | 115 | 242 | TO247-4L |
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| IGC025R120C2D | 1200 | 25 | 80 | 185 | TO247-3L |
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| IGC025R120C2K | 1200 | 25 | 80 | 185 | TO247-4L |
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| IGC040R120C3D | 1200 | 45 | 60 | 128 | TO247-3L |
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| IGC040R120C3K | 1200 | 45 | 60 | 128 | TO247-4L |
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| IGC040R120X1K | 1200 | 40 | 69 | 103 | TO247-4L |
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| IGC080R120C3D | 1200 | 75 | 35 | 75 | TO247-3L |
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| IGC080R120C3K | 1200 | 75 | 35 | 75 | TO247-4L |
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| IGC160R120C2D | 1200 | 160 | 17 | 42 | TO247-3L |
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| IGC650R170C2D | 1700 | 650 | 5 | 13 | TO247-3L |
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| IGC650R170C2G | 1700 | 650 | 5 | 13 | TO263-7 |
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SiC二极管系列
| Part Number | VDSmax | VF | IF | QC | PTOT | Package | Datasheet |
| (V) | (V) | (A) | (nC) | (W) | |||
| IGC04065 | 650V | 1.5 | 4.8 | 9.5 | 76.5 | TO/DFN |
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| IGC06065 | 650V | 1.4 | 6 | 17 | 111 | TO/DFN |
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| IGC08065 | 650V | 1.4 | 8 | 22 | 117 | TO |
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| IGC10065 | 650V | 1.4 | 10 | 28 | 138 | TO/DFN |
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| IGC16065 | 650V | 1.4 | 16 | 44 | 167 | TO |
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| IGC20065 | 650V | 1.4 | 20 | 65 | 300 | TO |
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| IGC30065 | 650V | 1.5 | 30 | 41 | 318 | TO |
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| IGC10120 | 1200V | 1.5 | 10 | 50 | 205 | TO |
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| IGC20120 | 1200V | 1.5 | 20 | 50 | 306 | TO |
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| IGC40120 | 1200V | 1.5 | 40 | 95 | 566 | TO |
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| IGC12170 | 1700V | 1.4 | 13.5 | 122 | 192 | TO |
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| IGC20170 | 1700V | 1.5 | 20.3 | 205 | 263 | TO |
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SiC模块系列
| Part Number | VDSmax | Ron_typ | IDmax | QG | Package | Datasheet |
| (V) | (mΩ) | (A) | (nC) | |||
| HS350R120P6M2 | 1200V | 6.7 | 350 | 1280 | HPD |
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| IGM0018120M | 1200V | 18 | 90 | / | SOT227 |
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| IGM0040120M | 1200V | 40 | 60 | 160 | SOT227 |
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| IGMM0018120T1 | 1200V | 18 | 90 | 242 | SOT227 |
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| IGMM400N120M3 | 1200V | 3.8 | 600 | 1280 | HPD |
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| IGMM300R120M3 | 1200V | 6 | 300 | 1150 | HPD-62mm |
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| IGMM200R120M3 | 1200V | 5 | 200 | / | Easy2B |
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